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183MHz双数据速率同步移动RAM

183MHz双数据速率同步移动RAM

出 版 物:《电子设计技术 EDN CHINA》 (EDN CHINA)

年 卷 期:2007年第14卷第1期

页      码:133-133页

摘      要:奇梦达股份公司推出首款183MHz双数据速率同步移动RAM(DDR366)。这款存储器采用60球细密球型网数组封装(FBGA封装),存储容量为512MB,工作电压为1.8V,符合JEDEC DDR标准。这款全新高速移动RAM的数据传输速率为366MB/s,比标准DDR266 DRAM快30%。在系统设计不改变的前提下,该性能记录是采用常规BGA封装方式实现的。这款移动RAM不但具备电池供电设备所需的超低功耗,

主 题 词:DRAM 同步移动 数据速率 DDR266 BGA封装 数据传输速率 电池供电设备 512MB 

学科分类:08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

馆 藏 号:203159300...

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