LDMOS微波功率放大器分析与设计

作     者：韩红波 郝跃 冯辉 李德昌 HAN Hong-bo;HAO Yue;FENG Hui;LI De-chang

作者机构：西安电子科技大学微电子研究所 西安电子科技大学技术物理学院西安710071 

基　　金：陕西省发展基金项目(Y20050608) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2007年第32卷第2期

页      码：158-161页

摘      要：在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,根据负载牵引得到的晶体管的输入输出阻抗运用共轭匹配,成功设计出2级LDMOS微波功率放大器,P-1大于45 dBm,在1580-1650 MHz功率增益30 dB以上,PAE大于30％。同时,得到了最终的版图并且运用MOMENTUM对它进行了2．5D仿真,得到了理想的结果。

主 题 词：横向扩散金属氧化物半导体 ADS软件 功率放大器 负载牵引法 共轭匹配 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2007.02.017

馆 藏 号：203159310...