CMOS 集成硅压力传感器特性的线性分析

作     者：K.Suzuki 何大安 

出 版 物：《遥测遥控》 (Journal of Telemetry,Tracking and Command)

年 卷 期：1989年第10卷第2期

页      码：41-45页

摘      要：作者对最新设计的具有方形硅膜片的 CMOS 集成硅压力传感器的特性进行了理论的和实验的分析。结果表明:传感器的非线性是由硅膜片的大幅度偏折(deflecti-on)和压阻元件的非线性压阻特性所引起的。文章还指出了将非线性减至最小程度时传感器的最佳结构形式。对所制得的压力传感器的非线性作了测量,其值与数学分析值十分吻合。

主 题 词：硅压力传感器 压阻元件 非线性分析 

学科分类：08[工学] 081101[081101] 0811[工学-水利类] 

D　O　I：10.13435/j.cnki.ttc.000661

馆 藏 号：203159384...