激光诱导气相合成Si_3N_4/SiC纳米粉试验工艺研究

作     者：李亚利 梁勇 郑丰 胡壮麒 

作者机构：中国科学院金属研究所16室 中国科学院金属研究所 

出 版 物：《材料科学与工艺》 (Materials Science and Technology)

年 卷 期：1993年第1卷第4期

页      码：60-65页

摘      要：选择廉价的六甲基乙硅胺烷((Me_3Si)_2NH)和氨气为原料,采用正交设计试验参数的方法,研究了激光功率密度、六甲基乙硅胺烷蒸汽流量、氨气流量对粉体化学组成的影响。制备出低游高碳含量,高Si_3N_4含量的Si_3N_4/SiC粉体。研究结果表明,在选定的试验参数范围内,形成的粉体中Si_3N_4、SiC的相对含量在较大的范围内变化。对Si_3N_4粉体中Si_3N_4的形成影响最大的是激光功率密度,六甲基乙硅胺烷流量对其影响最小。通过试验得到了高Si_3N_4含量,低游离碳含量的Si_3N_4/SiC纳米粉形成的最佳工艺参数。

主 题 词：陶瓷复合材料 氮化硅 碳化硅粉 

学科分类：080503[080503] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 

核心收录：

馆 藏 号：203159764...