半绝缘InP长单晶的生长

作     者：孙聂枫 毛陆虹 郭维廉 周晓龙 杨瑞霞 张伟玉 孙同年 Sun Niefeng;Mao Luhong;Guo Weilian;Zhou Xiaolong;Yang Ruixia;Zhang Weiyu;Sun Tongnian

作者机构：天津大学电子信息工程学院天津300072 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室石家庄050051 河北工业大学信息工程学院天津300130 天津农学院机电工程系天津300384 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60276008) 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2007年第28卷第Z1期

页      码：186-189页

摘      要：通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50mm,长190mm和直径80～100mm,长150mm的半绝缘InP单晶.

主 题 词：InP 孪晶 直径 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.045

馆 藏 号：203160705...