功率型双基区晶体管（DUBAT）的研制及其初步应用

作     者：郭维廉 郑云光 侯增一 杨开俊 郭正毅 钟奇 

作者机构：天津大学电子工程系天津第四半导体器件厂 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：1994年第10卷第1期

页      码：9-12页

摘      要：本文在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶ＿（ＣＥＯ）≥１２０Ｖ，Ｉ＿（ＣＭ）≥２Ａ，Ｒ＿Ｎ：５０～１１０Ω，Ｐ＿（ＣＭ）≥１５Ｗ。并将此器件初步应用于列车用荧光灯管电路。

主 题 词：负阻器件 双极晶极管 功率型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.1994.01.003

馆 藏 号：203160773...