反应离子深刻蚀硅的研究

作     者：姜建东 孙承龙 王渭源 王德宁 

作者机构：上海市复旦大学电子工程系集成电路设计研究室传感技术国家重点实验室200433 中科院上海冶金所传感技术研究室上海200050 

基　　金：国家"八五科技攻关"项目资助 

出 版 物：《传感技术学报》 (Chinese Journal of Sensors and Actuators)

年 卷 期：1995年第8卷第3期

页      码：13-17页

摘      要：利用ＳＦ６／Ｃ２ＣｌＦ５，ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２，ＳＦ６／ＣＣＬ２Ｆ２／Ｏ２等氟氯族混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀系统上，进行了反应离子深刻蚀硅的研究。在Ｃｒ膜的掩护下，ＳＦ６／Ｃ２ＣｌＦ５刻蚀硅的速度，但刻蚀的方向性差；ＳＦ６／ＣＣ１２Ｆ２和ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２／Ｏ２都可获得各向异性的刻蚀工艺，刻蚀速率在２００－５００ｎｍ／ｍｉｎ之间。

主 题 词：反应离子刻蚀 硅 刻蚀 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203160789...