Ku波段20W AlGaN/GaN功率管内匹配技术研究

作     者：孙春妹 钟世昌 陈堂胜 任春江 焦刚 陈辰 高涛 SUN Chun-mei;ZHONG Shi-chang;CHEN Tang-sheng;REN Chun-jiang;JIAO Gang;CHEN Chen;GAO Tao

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路及模块电路国家重点实验室南京210016 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2010年第10卷第6期

页      码：23-25,38页

摘      要：文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的AlGaN/GaNKu波段内匹配功率管在11.8GHz～12.2GHz频带内,输出功率大于20W。在12GHz功率增益大于5dB,功率附加效率29.07%,是目前国内关于GaN功率器件在Ku波段连续波输出的最高报道。

主 题 词：GaN 功率管 内匹配 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2010.06.007

馆 藏 号：203160964...