CMOS集成电路闩锁效应抑制技术

作     者：董丽凤 李艳丽 王吉源 DONG Li-feng;LI Yan-li;WANG Ji-yuan

作者机构：江西理工大学信息工程学院江西赣州341000 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2010年第10卷第9期

页      码：28-30页

摘      要：闩锁效应是CMOS集成电路在实际应用中失效的主要原因之一,而且随着器件特征尺寸越来越小,使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。文章以P阱CMOS反相器为例,从CMOS集成电路的工艺结构出发,采用可控硅等效电路模型,较为详细地分析了闩锁效应的形成机理,给出了闩锁效应产生的三个基本条件,并从版图设计和工艺设计两方面总结了几种抑制闩锁效应的关键技术。

主 题 词：CMOS集成电路 闩锁效应 可控硅 抑制 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2010.09.007

馆 藏 号：203160974...