0.8μm PD SOI MOS器件研究

作     者：肖志强 洪根深 张波 XIAO Zhi-qiang;Hong Gen-shen;Zhang Bo

作者机构：电子科技大学IC设计中心四川成都610054 中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2005年第5卷第6期

页      码：35-39页

摘      要：本文重点介绍了0.8μm PD SOI MOS器件的结构、KINK效应、热载流子效应和自加热效应等,并对这些特性从物理机理上进行了简要的阐述。

主 题 词：PD SOI KINK效应 热载流子效应 自加热效应 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2005.06.009

馆 藏 号：203162400...