硅衬底上锗硅合金光波导设计及工艺的优化考虑

作     者：赵鸿麟 潘姬 冯健 杨恩泽 李德杰 吴伯瑜 

作者机构：天津大学电子工程系 清华大学电子工程系 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：1996年第16卷第5期

页      码：688-691页

摘      要：报道用射频加热化学汽相沉积法制备Ｓｉ／ＧｅＳｉ／Ｓｉ大断面单模脊形光波导中设计和工艺的进一步完善。ＧｅＳｉ合金层中Ｇｅ的含量ｘ要满足脊形光波导是单模、光波导的数值、孔径接近单模光纤值、脊高小于临界厚度值等，计算表明兼顾上述三项要求应取ｘ＝１～３％；脊的高与宽受大断面及单模的制约。Ｓｉ的晶体结构使脊的二个腐蚀侧壁是斜坡，为此起始脊宽取５～６μｍ为宜；腐蚀液、抛光液的选取要保证脊侧壁及波导端面的优良镜面。上述设计及工艺优化使光波导的实测性能显著提高，离散性降低。最佳传播损耗已降到０．３ｄＢ／ｃｍ。

主 题 词：光波导 化学汽相沉积 锗硅合金 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

馆 藏 号：203162536...