Ta-W合金的化学机械抛光实验研究

作     者：舒行军 何建国 陶继忠 戴晓静 刘玉岭 Shu Xingjun;He Jianguo;Tao Jizhong;Dai Xiaojing;Liu Yuling

作者机构：中国工程物理研究院机械制造工艺研究所四川绵阳621900 河北工业大学微电子技术与材料研究所天津300130 

基　　金：中国工程物理研究院预研项目 

出 版 物：《润滑与密封》 (Lubrication Engineering)

年 卷 期：2006年第31卷第3期

页      码：78-80,83页

摘      要：针对Ta-W合金材料圆薄片零件化学机械抛光工艺，设计了Ta-W合金材料化学机械抛光抛光液，并探讨了抛光液各组分的含量及抛光工艺参数对抛光速率和抛光件表面质量的影响。结果表明，当抛光液中磨料SiO2溶胶质量分数为40％-65％时，抛光速率也达到较高值并在一定的硅溶胶含量范围内波动不大；当抛光液中有机碱的质量分数为4％-6％时，抛光速率达到最大值；随着氧化剂含量的增加，去除速率几乎成线性增加，但随氧化剂含量的增大表面状态变差，故应控制氧化剂的含量；随着抛光液流量的增加，抛光速率也增大，但在流量增加到200mL／min后，速率的增加变得缓慢。

主 题 词：化学机械抛光 抛光液 抛光速率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.0254-0150.2006.03.026

馆 藏 号：203162665...