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倒装芯片封装技术的发展

倒装芯片封装技术的发展

作     者:刘培生 杨龙龙 卢颖 黄金鑫 王金兰 LIU Peisheng;YANG Longlong;LU Ying;HUANG Jinxin;WANG Jinlan

作者机构:南通大学江苏省专用集成电路设计重点试验室江苏南通226019 

出 版 物:《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期:2014年第33卷第2期

页      码:1-5,15页

摘      要:倒装芯片(FC)技术已经广泛应用于集成电路封装工艺中。介绍了FC技术的发展,讨论了FC的关键技术,如凸点下金属(UBM)、焊料凸点(Solder bump)、下填料(Underfill)、基板技术(Substrate),阐述了FC中的新技术,如铜柱(Cu pillar)、可控塌陷芯片连接新工艺(C4NP),分析了FC的可靠性,最后展望了FC与硅通孔(TSV)技术的结合趋势。

主 题 词:集成电路 倒装芯片 综述 无铅焊料 底部填充 硅通孔 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.3969/j.issn.1001-2028.2014.02.001

馆 藏 号:203162666...

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