共振隧穿二极管的材料结构设计——共振隧穿器件讲座(5)

作     者：郭维廉 GUO Wei-lian

作者机构：天津工业大学信息与通讯工程学院 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2006年第43卷第8期

页      码：361-365,392页

摘      要：在系统细致分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,确立了RTD材料结构的设计原则和设计方法,并对以SI-GaAs为衬底的RTD分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计。所研制出的RTD参数实测结果证实了此设计方法是正确的。

主 题 词：共振隧穿二极管 材料结构设计 分子束外延 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2006.08.002

馆 藏 号：203162782...