一种多模式SRAM单粒子试验系统的设计与实现

作     者：郑宏超 岳素格 董攀 陈莉明 陈茂鑫 ZHENG Hong-chao;YUE Su-ge;DONG Pan;CHEN Lin-ming;CHEN Mao-xin

作者机构：北京微电子技术研究所北京100076 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2014年第31卷第9期

页      码：92-95页

摘      要：提出了一种基于NIOS II的异步SRAM单粒子效应检测系统,用于评估抗辐射加固SRAM电路的抗单粒子效应能力.该检测系统可以对异步SRAM进行四种工作模式下的动态和静态检测,利用该检测系统在重离子加速器上对一款异步SRAM进行了单粒子效应试验,获得了5种离子的试验数据,统计分析后得到了器件的单粒子翻转阈值、单粒子翻转饱和截面和单粒子翻转在轨错误率,并与国外同款电路进行了对比,最后依据试验结果给出了评估结论.

主 题 词：存储器 单粒子翻转 嵌入式系统 可编程逻辑门阵列 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2014.09.021

馆 藏 号：203162817...