基于接触势差法的表面功函数测试装置

作     者：张浩 刘善鹏 黄伟 委福祥 曹进 蒋雪茵 张志林 ZHANG Hao;LIU Shan-peng;HUANG Wei;WEI Fu-xiang;CAO Jin;JIANG Xue-yin;ZHANG Zhi-lin

作者机构：上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室上海200072 上海大学材料科学与工程学院上海201800 

基　　金：国家自然科学基金(90201034 60477014 60577041) 国家"973"计划(2002CB613400)资助项目 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2007年第28卷第4期

页      码：505-509页

摘      要：利用接触势差法自行设计开发了一种新型的表面功函数测试装置。基本原理是参考电极与样品之间形成电容,计算流过参考电极与样品之间的电流,通过确定电流的零点来获得功函数。此测量仪器由函数发生、功率放大、振荡器等多个功能模块组成。能在空气环境中快速测量半导体、金属、金属氧化物薄膜的表面功函数。我们运用此装置成功地对有机电致发光的阳极氧化铟锡(ITO)薄膜、p型硅片的功函数进行了测量,得到了样品经过UV-Ozone处理前后功函数随时间变化的曲线,为器件的优化提供了依据。

主 题 词：功函数 接触势差 ITO 有机电致发光 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

馆 藏 号：203163078...