SiC电力电子器件的发展及其应用概述

作     者：黄帅 Huang Shuai

作者机构：贵州铜仁学院物理与电子工程学院贵州铜仁554300 

基　　金：铜仁市科技局微纳米材料及其器件应用工程中心 编号:201412111 贵州省教育厅2015年度自然科学研究 青年项目"国产IGBT失效模式及容错设计研究" 

出 版 物：《电子测试》 (Electronic Test)

年 卷 期：2015年第26卷第8X期

页      码：127-129页

摘      要：宽禁带半导体材料由于其具有更大的击穿电场而成为下一代电力电子器件的焦点,其中以Si C材料和器件的发展尤为突出。本文从开关损耗的角度对四种Si C电力电子器件——JBS(结型势垒肖特基二极管)、JFET(结型场效应晶体管)、BJT(双极型晶体管)和MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的发展及其应用作了概述。

主 题 词：SiC JFET BJT MOSFET 电力电子器件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16520/j.cnki.1000-8519.20150907.002

馆 藏 号：203163355...