隔热结构中非晶硅的释H_2机理与工艺研究

作     者：马铁英 李铁 李劲松 

作者机构：中国计量学院光学与电子科技分院浙江杭州310018 中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室上海200050 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60878024) 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2010年第21卷第2期

页      码：227-230页

摘      要：对采用等离子增强化学气相淀积法(PECVD)制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了退火释H2实验,并对三文治结构膜层生长工艺作了改进。红外透射光谱表明:提高退火温度及增加退火时间会造成Si-H键断裂释放H2影响器件结构完整;不断改进设计,最终采用精简有效热敏面积及将退火工艺提前以扩张释H2渠道的方案,获得600℃退火后仍保持完整三文治结构的优化设计流程。

主 题 词：非晶硅(a-Si) 退火 红外透射 释H2 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 

核心收录：

D　O　I：10.16136/j.joel.2010.02.002

馆 藏 号：203164100...