LTO3制式磁头的研制

作     者：邓俊彦 邓沛然 DENG Jun-yan;DENG Pei-ran

作者机构：东莞理工学院城市学院实验中心广东东莞523106 上海工程技术大学材料工程学院上海201620 

出 版 物：《信息记录材料》 (Information Recording Materials)

年 卷 期：2010年第11卷第5期

页      码：58-62页

摘      要：LTO制式的磁带机用于服务器上的数据储存,自推向市场以来,不断地推出新产品,并成为这个市场的主流产品。LTO3是第3代LTO产品,磁头为各向异性磁致电阻磁头(AMR),本文通过对磁头的关键参数进行优化设计,如磁致电阻材料NiFe、偏转磁场材料CoZrMo和屏蔽层的参数,获得了良好的性能,写信号的磁道磁场均匀,写电流、Overwrite、信号波形不对称度、输出电压和磁头的原始读错误率(Raw Read Er-ror Rate)等关键测试参数均能满足要求,产品已批量生产。

主 题 词：LTO3制式 各向异性磁致电阻磁头 原始读错误率 NiFe CoZrMo 

学科分类：081702[081702] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1009-5624.2010.05.010

馆 藏 号：203164320...