一种10位200kS/s 65nm CMOS SAR ADC IP核

作     者：杨银堂 佟星元 朱樟明 管旭光 Yang Yin-tang;Tong Xing-yuan;Zhu Zhang-ming;Guan Xu-guang

作者机构：西安电子科技大学微电子所西安710071 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 

基　　金：国家自然科学基金(60725415 60971066 60676009 60776034 60803038) 国家863计划项目(2009AA01Z258 2009AA01Z260) 国家重大科技专项(2009ZX01034-002-001-005)资助课题 

出 版 物：《电子与信息学报》 (Journal of Electronics & Information Technology)

年 卷 期：2010年第32卷第12期

页      码：2993-2998页

摘      要：该文基于65nm CMOS低漏电工艺,设计了一种用于触摸屏SoC的8通道10位200kS/s逐次逼近寄存器型(Successive Approximation Register,SAR)A/D转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)IP核。在D/A转换电路的设计上,采用"7MSB(Most-Significant-Bit)+3LSB(Least-Significant-Bit)"R-C混合D/A转换方式,有效减小了IP核的面积,并通过采用高位电阻梯复用技术有效减小了系统对电容的匹配性要求。在比较器的设计上,通过采用一种低失调伪差分比较技术,有效降低了输入失调电压。在版图设计上,结合电容阵列对称布局以及电阻梯伪电阻包围的版图设计方法进行设计以提高匹配性能。整个IP核的面积为322μm×267μm。在2.5V模拟电压以及1.2V数字电压下,当采样频率为200kS/s,输入频率为1.03kHz时,测得的无杂散动态范围(Spurious-Free Dynamic Range,SFDR)和有效位数(Effective Number Of Bits,ENOB)分别为68.2dB和9.27,功耗仅为440μW,测试结果表明本文ADC IP核非常适合嵌入式系统的应用。

主 题 词：模数转换器(ADC) 逐次逼近寄存器(SAR) 触摸屏SoC CMOS 低功耗 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3724/SP.J.1146.2010.00688

馆 藏 号：203164412...