半导体温差电材料及其致冷器

作     者：张莲萍 李忠良 胡继东 岳全岑 

作者机构：昆明物理研究所 

出 版 物：《红外技术》 (Infrared Technology)

年 卷 期：1989年第11卷第5期

页      码：6-12页

摘      要：用改良的布里奇曼法制备以碲化铋(Bi_2Te_3)为基并掺入适量中性杂质元素的室温半导体温差电材料,晶体直径为φ19—25mm,其特性具有明显的取向性,平行于晶锭轴切取电偶臂时比垂直切取具有更好的性能。优值系数p型Z达3.2×10^(-3)K^(-1),n型Z达3.1×10^(-1)K^(-1)。文中还介绍了致冷器的工作原理、设计的基本依据和主要的计算公式,以及制作致冷器的主要工艺步骤。

主 题 词：半导体 温差电材料 致冷器 

学科分类：08[工学] 0805[工学-能源动力学] 

馆 藏 号：203166205...