1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计

作     者：汪玲 黄润华 刘奥 陈刚 柏松 WANG Ling;HUANG Runhua;LIU Ao;CHEN Gang;BAI Song

作者机构：宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016 

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA041401) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2016年第36卷第3期

页      码：183-186页

摘      要：设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。

主 题 词：4H型碳化硅 肖特基势垒二极管 终端保护 浮空场限环 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

馆 藏 号：203168315...