体硅CMOS FinFET结构与特性研究

作     者：殷华湘 徐秋霞 YIN Hua-xiang;XU Qiu-xia

作者机构：中国科学院微电子研究所硅器件和集成电路技术研究室北京100029 

基　　金：国家自然科学基金(No.60176010) 国家重点基础研究973项目(No.TG2000036504) 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2005年第33卷第8期

页      码：1484-1486页

摘      要：建立在SOI衬底上的FinFET结构被认为是最具全面优势的非常规MOS器件结构.本文通过合理的设计将FinFET结构迁移到普通体硅衬底上,利用平面凹槽器件的特性解决了非绝缘衬底对器件短沟道效应的影响,同时获得了一些标准集成电路工艺上的改进空间.运用标准CMOS工艺实际制作的体硅CMOSFinFET器件获得了较好的性能结果并成功地集成到CMOS反相器和环形振荡器中.结构分析与实验结果证明了体硅CMOSFinFET在未来电路中的应用前景.

主 题 词：鱼脊形场效应晶体管 体硅 凹槽器件 新结构 CMOS 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0372-2112.2005.08.030

馆 藏 号：203171107...