高速NPN锗硅异质结双极晶体管的设计与制作

作     者：钱文生 刘冬华 陈帆 陈雄斌 石晶 段文婷 胡君 黄景丰 QIAN Wensheng;LIU Donghua;CHEN Fan;CHEN Xiongbing;SHI Jing;DUAN Wenting;HU Jun;HUANG Jingfeng

作者机构：上海华虹NEC电子有限公司上海201206 

基　　金：国家科技02重大专项资助项目(2009ZX02303和2011ZX02506) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2012年第32卷第5期

页      码：467-471页

摘      要：报告了0.18μm高速N型锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构和制作工艺。分析了SiGe HBT器件的直流和射频特性,其截止频率为110 GHz,击穿电压为1.8 V,电流增益为270。研究了集电区掺杂及锗硅碳外延基区的厚度与掺杂工艺条件对器件特性的影响,并给出最优化的工艺条件。

主 题 词：高速 锗硅异质结双极晶体管 截止频率 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2012.05.012

馆 藏 号：203171331...