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65nm CMOS工艺中的高速多标准FPGA I/O接口设计

65nm CMOS工艺中的高速多标准FPGA I/O接口设计

作     者:景行 赵琦 柯可人 易婷 洪志良 JING Xing;ZHAO Qi;KE Keren;YI Ting;HONG Zhiliang

作者机构:复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 

基  金:国家高科技研究发展计划(863)资助项目(2012AA012001) 

出 版 物:《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期:2014年第34卷第4期

页      码:381-386,402页

摘      要:设计了一种现场可编程门阵列(FPGA)中使用的高速可配置的输入输出(I/O)接口电路。通过使用电平移位电路、互补自偏置差分放大电路(CSDA)等,该电路实现了包括低压差分信号(LVDS)在内的多种常见的接口协议标准。该电路同时具备可编程配置压摆率和可编程配置输出驱动电流的功能,同时为保证信号完整性,设计了数字阻抗匹配(DCI)模块。芯片使用SMIC 1P10M65nm CMOS工艺流片。测试结果表明,芯片核心电路在1.2V电压下能保证各种协议工作正常,输入输出信号延时、最大输出电流、最高工作速率等与仿真结果吻合,均达到设计指标要求。

主 题 词:现场可编程门阵列 输入输出接口 互补自偏置差分放大电路 高速 低压差分信号 数字阻抗匹配 

学科分类:0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

馆 藏 号:203171332...

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