2~20GHz GaAs超宽带杂谱抑制单片低噪声放大器

作     者：彭龙新 牛超 凌显宝 凌志健 PENG Longxin;NIU Chao;LING Xianbao;LING Zhijian

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2016年第36卷第1期

页      码：12-16 20页

摘      要：基于0.15μm GaAs PHEMT低噪声工艺,采用二种不同的电路结构——分布式和负反馈,研制了两种超宽带低噪声放大器芯片,两种芯片都达到了2~20GHz的超宽带要求。两款芯片均使用单电源+5V自偏置供电。分布式低噪声放大器芯片的典型增益为17dB,典型噪声系数为2.5dB,输入驻波≤1.6,输出驻波≤1.9,1dB增益压缩输出功率≥14dBm,电流≤75mA;负反馈低噪声放大器芯片的典型增益≥20dB,典型噪声系数≤3.0dB,输入输出驻波≤2.1,1dB增益压缩输出功率≥14dBm,电流≤60mA。用探索到的杂谱抑制理念,设计的两种放大器在全频带、全温(-55^+125℃)、大小信号输入下均未见到杂波,成功解决了国外同类产品HMC462在低温(-55℃)下存在杂散的严重问题。

主 题 词：微波单片集成电路 超宽带 低噪声放大器 赝配高电子迁移率晶体管 分布式结构 负反馈 杂波抑制 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203174707...