一种快速瞬态响应的无片外电容LDO

作     者：孙建伟 刘自成 陈志铭 SUN Jianwei;LIU Zicheng;CHEN Zhiming

作者机构：北京理工大学微电子技术研究所北京100081 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61201040 61301006) 高等学校学科创新"引智计划"资助项目(B14010) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2016年第46卷第3期

页      码：340-343页

摘      要：设计了一种快速瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器（LDO）。采用具有摆率增强作用的缓冲级电路,可以在不额外增加静态电流的同时检测输出端电压,在负载瞬间变化时增大功率器件栅极电容的充放电电流。缓冲级电路还引入了简单的负反馈技术,增加了环路的相位裕度。采用SMIC 180nm的CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,当输入电压为1.4-5V时,该LDO的输出电压为1.2V,最大负载电流为300mA;负载电流在1mA和300mA间变化时,最大过冲电压为76.5mV,响应时间仅为1.5μs。

主 题 词：摆率增强 缓冲级 快速瞬态响应 无片外电容 线性稳压器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.03.013

馆 藏 号：203175142...