安森美半导体进一步扩展IGBT系列推出基于第三代超场截止技术的1200V器件

出 版 物：《半导体信息》 (Semiconductor Information)

年 卷 期：2016年第3期

页      码：23-24页

摘      要：安森美半导体（ON Semiconductor）推出新系列绝缘栅双极晶体管（IGBT）,采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3WG的设计旨在提升工作性能水平,以符合现代开关应用的严格要求。

主 题 词：安森美半导体 IGBT 超场 性能水平 第三代 领先行业 高级总监 太阳能逆变器 不间断电源 额定电流 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

馆 藏 号：203175588...