“助攻”电源设计:900V SiC MOSFET导通电阻创新低

出 版 物：《半导体信息》 (Semiconductor Information)

年 卷 期：2016年第1期

页      码：8-9页

摘      要：全球SiC领先者CREE推出了业界首款900VMOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiCMOSFETC3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源（spm）、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。

主 题 词：MOSFET 电源设计 导通电阻 创新 场效应晶体管 高频电力 开关模式电源 电子应用 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203176024...