C波段pHEMT单片Gilbert混频器

作     者：王维波 张斌 WANG Weibo;ZHANG Bin

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2007年第27卷第2期

页      码：194-198页

摘      要：采用0.5μmpHEMT工艺研制了Gilbert式单片混频器,设计采用了电流注入技术及跨导级源端负反馈技术,在C波段测试表明:变频增益大于1.5dB,单边带噪声系数典型值为12.5dB,变频带宽约为DC～1GHz,所需本振功率实测值为1.6dBm。

主 题 词：微波单片集成电路 吉尔伯特 变频增益 单边带噪声系数 本振射频间隔离 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2007.02.012

馆 藏 号：203176959...