看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >低临界转换频率的双频驱动液晶分子的设计、制备及性能 收藏
低临界转换频率的双频驱动液晶分子的设计、制备及性能

低临界转换频率的双频驱动液晶分子的设计、制备及性能

作     者:王萌 李辰悦 胡威 肖久梅 丁杭军 张兰英 杨槐 WANG Meng;LI Chenyue;HU Wei;XIAO Jiumei;DING Hangjun;ZHANG Lanying;YANG Huai

作者机构:北京大学工学院北京100871 北京科技大学材料科学与工程学院北京100083 北京科技大学化学与生物工程学院北京100083 北京科技大学数理学院北京100083 

基  金:高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120001130005) 国家自然科学基金资助项目(51273022 51272026) 

出 版 物:《中国科技论文》 (China Sciencepaper)

年 卷 期:2016年第11卷第6期

页      码:595-600页

摘      要:目前市售的双频驱动液晶材料存在临界转换频率高、驱动电压高、种类少等问题,限制了其在显示和光学器件上的应用。基于材料物理性能和分子结构的关系,通过改变分子末端基团种类、刚性环个数、侧链氟原子的取代位置和个数,设计并制备出9种双频驱动液晶分子。采用傅里叶红外光谱和核磁共振氢谱表征分子结构,通过差示扫描量热仪结合偏光显微镜表征相态及相变温度,最后采用阻抗分析仪测定化合物的介电常数、计算临界转换频率。实验结果表明,单一化合物的临界转换频率可降低至20.1kHz。另外,通过密度泛函理论对分子结构进行了模拟计算,发现理论计算结果与实验结果一致。

主 题 词:材料物理与化学 液晶 双频驱动 临界转换频率 

学科分类:07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

D O I:10.3969/j.issn.2095-2783.2016.06.001

馆 藏 号:203177345...

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分