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低相位噪声毫米波单片压控振荡器的研制

低相位噪声毫米波单片压控振荡器的研制

作     者:陈继新 洪伟 殷晓星 程峰 严蘋蘋 CHEN Ji-Xin;HONG Wei;YIN Xiao-Xing;CHENG Feng;YAN Pin-Pin

作者机构:东南大学毫米波国家重点实验室江苏南京210096 

基  金:国家自然科学基金重点(No.90307016)资助项目 

出 版 物:《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期:2006年第25卷第4期

页      码:271-274页

摘      要:采用0.18um GaAs PHEMT工艺,设计和研制了毫米波压控振荡器.该压控振荡器采用反射式结构,并针对了我国本地多点分配业务(LMDS)频段进行了优化设计,芯片采用OMMIC ED02AH工艺实现,芯片的尺寸为1.2mm×0.8mm.实测性能指标为:在28.46GHz,该压控振荡器的输出功率为7.3dBm,偏移1MHz处的相位噪声为-101dBc/Hz,调谐范围为27.5~30.4GHz.

主 题 词:压控振荡器 砷化镓 毫米波 相位噪声 

学科分类:080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录:

D O I:10.3321/j.issn:1001-9014.2006.04.007

馆 藏 号:203178218...

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