外腔面发射激光器自发辐射谱的热特性

作     者：詹小红 朱仁江 蒋茂华 胡平 崔玉亭 张鹏 

作者机构：重庆师范大学物理与电子工程学院重庆400047 重庆师范大学重庆市高校光电材料与工程重点实验室重庆400047 重庆师范大学重庆市光电功能材料重点实验室重庆400047 四川机电职业技术学院材料工程系攀枝花617000 

基　　金：重庆市教委科学技术研究基金资助项目(KJJ130630) 

出 版 物：《激光技术》 (Laser Technology)

年 卷 期：2016年第40卷第4期

页      码：610-614页

摘      要：热效应是限制外腔面发射激光器(VECSEL)输出功率和光束质量的主要原因。为了优化VECSEL增益芯片有源区量子阱的设计,降低激光器的热效应,提高斜效率和输出功率,采用光致荧光谱方法,对设计波长980nm VECSEL自发辐射谱的热特性进行了实验研究。取得了不同热沉温度下边发射和面发射谱随温度的变化数据。结果表明,反映有源区量子阱自身特性的边发射谱峰值波长随温度升高的红移速率是0.5nm/K,而受到增益芯片多层结构调制的面发射谱峰值波长随温度升高的红移速率只有0.1nm/K;由于受到VECSEL增益芯片中微腔的限制,面发射谱分离为多个模式,分别与微腔的腔模对应。可见对量子阱的发射波长及微腔腔长做预偏置优化处理,可以显著改善激光器的输出性能。

主 题 词：激光器 外腔面发射激光器 光致荧光谱 热特性 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2016.04.032

馆 藏 号：203178226...