与5V CMOS标准工艺兼容的20V N-CDMOS器件研究

作     者：杨万青 李冰 韩广涛 YANG Wan-qing;LI Bing;HAN Guang-tao

作者机构：东南大学集成电路学院南京210096 华润上华科技有限公司江苏无锡214061 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2008年第8卷第2期

页      码：23-28页

摘      要：文章主要介绍了在0.5μm5V CMOS标准制造工艺的基础上,不改变其工艺制造流程及其掺杂浓度,借助Synopsys模拟软件详细分析讨论了高压N-CDMOS器件的漂移区长度、沟道长度与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟和实验设计,最终获得20V高压N-CDMOS最优化的器件结构与工艺参数。其制造工艺与现有5V低压工艺完全兼容,工艺简单、集成度高,可广泛应用于功率器件的芯片上。

主 题 词：CDMOS 漂移区 击穿电压 场板 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2008.02.007

馆 藏 号：203178669...