HEMT压力传感器

作     者：张昌盛 ZHANG Chang-sheng

作者机构：烟台大学光电信息科学技术学院山东烟台264005 

出 版 物：《烟台大学学报（自然科学与工程版）》 (Journal of Yantai University(Natural Science and Engineering Edition))

年 卷 期：2016年第29卷第3期

页      码：199-203页

摘      要：利用Al Ga N/Ga N半导体的极化效应在异质结界面产生二维电子气(2DEG)的特性,设计了一种基于高电子迁移率场效应管(HEMT)的压强传感器;并利用标准的微电子工艺和背部深硅刻蚀技术制作了器件;对器件在不同压强下的源-漏I-V特性进行了测试和评价.结果表明本文设计制作的压强传感器的I-V特性对压强的变化能做出灵敏的反应.Ⅲ族氮化物半导体器件具有高速度、高灵敏、大功率和耐高温等特点,本压强传感器具有更广的应用领域.

主 题 词：Ⅲ族氮化物半导体 二维电子气 高电子迁移率场效应管 压强传感器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13951/j.cnki.37-1213/n.2016.03.008

馆 藏 号：203179107...