LDMOSFET电热耦合解析模型

作     者：孙晓红 戴文华 严唯敏 陈强 高怀 SUN Xiaohong;DAI Wenhua;YAN Weimin;CHEN Qiang;Gao Huai

作者机构：东南大学国家ASIC系统工程中心南京210096 Infineon Technologies North America CorpMorgan HillCA 95037United States 苏州大学应用技术学院机电工程系江苏苏州215325 Department of Electronic Systemthe Royal Institute of Technology-KTHStockholm 16440Sweden 苏州工业园区教育投资发展有限公司&苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心江苏苏州215123 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2010年第30卷第3期

页      码：370-376,424页

摘      要：建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该模型,并将其应用于实际射频功率放大器的设计,通过测量验证了该模型的正确。

主 题 词：横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 解析模型 晶体管模型 封装模型 热模型 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2010.03.013

馆 藏 号：203179739...