栅极宽度对IGBT通态压降的影响

作     者：关艳霞 姜秀丽 

作者机构：沈阳工业大学信息科学与工程学院辽宁沈阳110870 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2011年第19卷第22期

页      码：115-117页

摘      要：利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真,在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IGBT的通态压降,得到了通态压降随栅极宽度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致。对于相同的元胞尺寸,栅极宽度存在最优值,只要合理地选取,可以有效地降低通态压降。

主 题 词：silvaco IGBT 栅极宽度 通态压降 仿真 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-6236.2011.22.042

馆 藏 号：203180393...