一种正电控制大衰减量的6bit单片数控衰减器

作     者：甄建宇 王清源 赵瑞华 刘金 王凯 

作者机构：电子科技大学成都610054 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2013年第38卷第3期

页      码：184-188页

摘      要：分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,采用GaAs工艺技术完成了流片。测试结果表明,在DC～2 GHz频带内,衰减步进1 dB,最大衰减量63 dB,插入损耗小于1.7 dB,衰减精度小于±0.1 dB@1 dB～4 dB;小于±0.8 dB@8 dB～32 dB;小于±1.3 dB@48 dB～63 dB,两个端口在所有态下的驻波比小于1.2∶1。单片数控衰减器芯片尺寸为3.0 mm×2.0 mm,控制电压为0和5 V。

主 题 词：大衰减量 数控衰减器 正电控制 微波单片集成电路 数模混合 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2013.03.005

馆 藏 号：203180931...