带有Si_3N_4薄膜的玻璃-硅-玻璃三层结构的阳极键合

作     者：林智鑫 王盛贵 刘琦 曾毅波 郭航 LIN Zhi-xin;WANG Sheng-gui;LIU Qi;ZENG Yi-bo;GUO Hang

作者机构：厦门大学物理与机电工程学院福建厦门361005 厦门大学萨本栋微米纳米技术研究院福建厦门361005 

基　　金：福建省重大科技项目前期研究资助项目(2009HZ1021) 国家"863"计划专题资助项目(2007AA04Z330) 

出 版 物：《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)

年 卷 期：2013年第32卷第8期

页      码：63-66,70页

摘      要：为了获得高品质的带有Si3N4薄膜三层(玻璃—硅—玻璃)的阳极键合结构,对阳极键合的相关工艺参数进行了研究;设计搭建了实验平台并采用点阴极,以实时观察键合界面是否达到同形质的黑色从而判断阳极键合质量,对键合后的样品进行拉力测试,研究表明:当采用键合温度为400℃,电压为1200 V,压力为450 Pa,可获得键合面积大于90%的带有Si3N4薄膜的三层阳极键合结构。

主 题 词：阳极键合 Si3N4薄膜 玻璃-硅-玻璃 三层键合 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-9787.2013.08.018

馆 藏 号：203181086...