基于SRAM和PRAM混合主存设计

作     者：姚英彪 陈越佳 YAO Yingbiao;CHEN Yuejia

作者机构：杭州电子科技大学通信工程学院杭州310018 

基　　金：国家自然科学基金(No.61100044) 浙江省科技计划资助项目(No.2013C31100) 

出 版 物：《计算机工程与应用》 (Computer Engineering and Applications)

年 卷 期：2016年第52卷第13期

页      码：69-75页

摘      要：由于DRAM芯片超高的静态功耗,使得利用DRAM构建高性能计算机系统中的大容量主存遇到能耗过大问题,这激发了对新型大容量主存结构的研究。针对上述问题,设计了一种基于SRAM和PRAM的混合主存系统,该系统将SRAM作为PRAM的专用写缓存,并将改进后的LRFU算法应用到SRAM写缓存,从而在对主存系统性能影响不大的前提下,有效降低主存系统的能耗和延长PRAM的可用时间。仿真结果显示,所设计的混合存储结构的能耗-延时积(EDP)为纯DRAM存储结构的40%;此外,与纯PRAM存储结构相比,可使PRAM的写操作次数下降28.5%,与将SRAM作为Cache相比,PRAM写次数下降13%。

主 题 词：混合存储器 PRAM存储器 SRAM写缓存 低功耗 写操作次数 替换算法 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.3778/j.issn.1002-8331.1407-0601

馆 藏 号：203181310...