SiC功率器件的开关特性探究

作     者：赵斌 秦海鸿 马策宇 袁源 钟志远 ZHAO Bin;QIN Hai-hong;MA Ce-yu;YUAN Yuan;ZHONG Zhi-yuan

作者机构：江苏省新能源发电与电能变换重点实验室(南京航空航天大学)江苏南京210016 

基　　金：教育部博士点基金(20123218120017) 南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金资助项目(kfjj120108) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 

出 版 物：《电工电能新技术》 (Advanced Technology of Electrical Engineering and Energy)

年 卷 期：2014年第33卷第3期

页      码：18-22页

摘      要：与Si功率器件相比,SiC功率器件因其阻断电压高、开关频率高和工作温度高的性能特点,显示出广阔的应用前景。本文分析了SiC肖特基二极管和SiC MOSFET的开关特性,重点研究其与Si功率器件的特性与应用差异。设计制作了基于Buck变换器的测试实验样机,分别采用Si功率器件和SiC功率器件进行测试,对测试结果进行了对比分析。实验结果验证了文中分析的开关特性差异,从而为SiC功率器件的优化选择和应用提供了一定依据。

主 题 词：碳化硅 肖特基二极管 MOSFET 开关特性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-3076.2014.03.004

馆 藏 号：203181363...