漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的研制

作     者：张盛东 韩汝琦 TommyLai JohnnySin 

作者机构：北京大学微电子学研究所北京100871 香港科技大学电机电子工程系 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2001年第29卷第2期

页      码：164-167页

摘      要：给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法 .在Si膜厚度为 0 15 μm、隐埋氧化层厚度为 2 μm的SOI硅片上进行了LDMOS晶体管的制作 .首次对薄膜SOI功率器件的击穿电压与线性掺杂漂移区的杂质浓度梯度的关系进行了实验研究 .通过对漂移区掺杂剂量的优化 ,所制成的漂移区长度为 5 0 μm的LDMOS晶体管呈现了高达 6 12V的击穿电压 .

主 题 词：薄膜SOI 半导体器件 线性掺杂 漂移区 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0372-2112.2001.02.006

馆 藏 号：203181363...