用STM针尖诱导热致气化模式的纳米级信息存储

作     者：雷晓钧 陈海峰 刘忠范 

作者机构：北京大学化学与分子工程学院纳米科学技术中心北京100871 

基　　金：国家自然科学基金重大项目!(批准号: 6989022) 国家自然科学基金!(批准号: 29973001) 香港研究资助局资助项目!(批准号: 59910161982 

出 版 物：《中国科学（B辑）》 (Science in China(Series B))

年 卷 期：2001年第31卷第1期

页      码：67-71页

摘      要：以扫描探针显微镜(SPM)为基础的超高密度信息存储是近年来信息存储领域的热点研究之一. 其基本原理是利用SPM针尖诱导存储介质表面形貌变化、导电性质改变、电荷分离等来记录信息. 提出利用STM隧道电流的焦耳热效应诱导材料发生气化分解的热化学烧孔模式的STM存储新原理, 并在电荷转移复合物TEA(TCNQ)2上成功地得到大面积信息孔阵列. 空洞大小均一, 最小直径约8 nm. 该存储模式有明显的优点: 由于STM隧道电流波及范围很小, 只要存储材料的导热性不是很好, 则气化分解局限于非常小的范围, 从原理上保证了存储的超高密度; 写入可靠率非常高, 达到99%以上; 存储材料具有可设计性, 易于优化材料的存储性能.

主 题 词：超高密度信息存储 TEA(TCNQ)2 存储模式 存储材料 纳米级 STM 针尖诱导 热致气化 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1006-9240.2001.01.009

馆 藏 号：203181467...