半导体器件建模与优化系统

作     者：谢晓锋 鲁勇 李钊 阮骏 姚依 张文俊 杨之廉 

作者机构：清华大学微电子学研究所北京100084 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2003年第24卷第3期

页      码：327-331页

摘      要：随着器件尺寸的缩小 ,器件特性空间变得越来越复杂 .如果仍采用手工参数调整的方法 ,不仅需要有较好的器件物理知识 ,而且也不一定能得到合适的结果 .为节约设计时间 ,对半导体器件建模与优化系统 (MOSSED)进行了研究与实现 .该系统可以对半导体器件进行有效地建模、优化和综合 ,以得到所需要的器件 .通过一些实例对部分功能进行了说明 ,并和一些已有的系统进行了比较 .

主 题 词：半导体器件 响应表面方法 遗传算法 微粒群优化 MOSSED 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2003.03.018

馆 藏 号：203182630...