烧结温度对无压烧结碳化硅陶瓷微观结构及性能的影响

作     者：杨新领 郑奔 李志强 郑浦 

作者机构：台州东新密封有限公司浙江台州318000 

基　　金：浙江省工程技术研究中心建设计划(2013E10033) 中国科协企会创新计划资助项目 

出 版 物：《科技创新导报》 (Science and Technology Innovation Herald)

年 卷 期：2016年第13卷第3期

页      码：54-56页

摘      要：以B4C为烧结助剂无压烧结制备碳化硅陶瓷。研究了烧结温度与碳化硅烧结体密度、三点抗弯强度、维氏硬度之间的关系,并对不同温度下制备的碳化硅陶瓷进行了显微结构形貌观察。结果表明:当烧结温度在2 100℃附近时,碳化硅陶瓷的密度达到3.16 g/cm^3,相对密度超过98%,微观形貌观察均匀致密,三点抗弯强度达到500 MPa,维氏硬度为2 750,具有较好的力学性能。

主 题 词：碳化硅陶瓷 无压烧结 显微结构 性能 

学科分类：08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16660/j.cnki.1674-098X.2016.03.054

馆 藏 号：203182855...