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基于SOI衬底的射频电感优化设计

基于SOI衬底的射频电感优化设计

作     者:赵冬燕 张国艳 黄如 

作者机构:北京大学微电子学研究所北京100871 

基  金:国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA1E15 90 )及 国家自然科学基金 (批准号 :60 3 0 60 0 5 )资助项目~~ 

出 版 物:《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))

年 卷 期:2004年第25卷第6期

页      码:702-706页

摘      要:比较了SOIRF电感与体硅电感的性能 ,并根据模拟结果分析了电感中空面积 ,电感形状结构 ,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响 ,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则 .以往射频集成电感性能的比较并不固定电感值 。

主 题 词:SOI衬底 电感量 品质因数 自谐振频率 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录:

D O I:10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.017

馆 藏 号:203182971...

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