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CMOS半加器电路鲁棒性设计

CMOS半加器电路鲁棒性设计

作     者:刘春娟 徐晓瑞 杨超山 LIU Chun-juan;XU Xiao-rui;YANG Chao-shan

作者机构:兰州交通大学电子与信息工程学院甘肃兰州730070 

基  金:国家自然科学基金(61366006) 

出 版 物:《兰州交通大学学报》 (Journal of Lanzhou Jiaotong University)

年 卷 期:2016年第35卷第3期

页      码:68-71页

摘      要:在数字电路设计中,电路逻辑功能和性能参数会随着数字逻辑器件的容差、延迟时间的改变而发生变化,甚至会引起不正常的逻辑关系.随着集成度不断提高,这种偏差严重影响电路的成品率,增加了电路设计的复杂性和成本.采用基于OrCAD/Pspice的最坏情况模拟及对器件模糊时间影响的抑制,对半加器逻辑电路参数进行适当修正,降低了输出结果不确定性及脉冲变窄或异常故障.所设计的加法器电路在满足原逻辑功能基础上,在指定的模糊时间变化范围内,电路稳定性得到明显提高,达到增强其鲁棒性的目的.

主 题 词:半加器 鲁棒性 模糊时间 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.3969/j.issn.1001-4373.2016.03.013

馆 藏 号:203183736...

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