基于TDICE单元的SRAM抗SEU加固设计

作     者：孙敬 陈振娇 陶建中 薛海卫 徐新宇 SUN Jing;CHEN Zhen-jiao;TAO Jian-zhong;XUE Hai-wei;XU Xin-yu

作者机构：江南大学物联网学院工程学院江苏无锡214062 中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2016年第33卷第7期

页      码：39-43页

摘      要：双立互锁存储单元(DICE),在保持状态下是一种可靠有效的单粒子翻转(SEU)加固方法,但是,基于DICE单元的SRAM在读操作下会发生抗SEU失效.相比抗单个敏感节点翻转的效果,DICE抗多个敏感节点翻转的能力较弱.为此,在DICE结构的基础上采用读写分离机制,以解决DICE单元在读写过程中的节点翻转问题.同时,根据电阻加固原理,在DICE存储单元的节点之间增加NMOS管,即TDICE(Transistor DICE)结构,其利用晶体管隔离反馈回路中的节点间的连接,提高了SRAM的抗多节点翻转能力.Spectre仿真结果表明:基于TDICE单元的SRAM具有较强的抗单粒子翻转能力.

主 题 词：SRAM 单粒子翻转 DICE 读写分离 TDICE 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2016.07.009

馆 藏 号：203185281...