一种缓解NBTI效应引起电路老化的门替换方法

作     者：梁华国 陶志勇 李扬 Liang Huaguo;Tao Zhiyong;Li Yang

作者机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院合肥230009 合肥工业大学计算机与信息学院合肥230009 江苏商贸职业学校信息系南通226000 

基　　金：国家自然科学基金(61274036 61106037 61106038) 国家教育部博士点基金(20110111120012) 安徽省高校自然科学研究重点项目(KJ2010A280) 江苏省高校"青蓝工程"项目(2010121312) 

出 版 物：《电子测量与仪器学报》 (Journal of Electronic Measurement and Instrumentation)

年 卷 期：2013年第27卷第11期

页      码：1011-1017页

摘      要：45 nm工艺下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应是限制电路的性能的首要因素。为了缓解NBTI效应引起的电路老化,提出了1个基于门替换方法的设计流程框架和门替换算法。首先利用已有的电路老化分析框架来预测集成电路在其服务生命期内的最大老化,然后以门的权值作为指标来识别关键门,最后采用门替换算法对电路中的部分门进行替换。基于ISCAS85基准电路和45 nm晶体管工艺的试验结果表明,相对于已有的方法,采用文中的门替换方法,使得NBTI效应引起的电路老化程度平均被缓解了9.11%,有效地解决了控制输入向量(input vector control,IVC)方法不适用于大电路问题。

主 题 词：负偏置温度不稳定性 门替换 电路老化 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3724/SP.J.1187.2013.01011

馆 藏 号：203186517...