一种基于IR2113的隔离型MOSFET驱动电路设计

作     者：陈建萍 张文 魏仲华 CHEN Jian-ping;ZHANG Wen;WEI Zhong-hua

作者机构：赣南师范学院物理与电子信息学院江西赣州341000 华南理工大学机械与汽车工程学院广州510640 

出 版 物：《赣南师范学院学报》 (Journal of Gannan Teachers' College(Social Science(2)))

年 卷 期：2011年第32卷第3期

页      码：57-59页

摘      要：以MOSFET作为主要功率开关管,应用于200 V输入的全桥逆变电路中,分析了电路的工作特点及MOSFET驱动电路的设计要求,以及针对开通关断过程所需的电气特性,设计了一种采用光耦隔离、IR2113控制的MOSFET高速驱动电路.实验结果证明了设计的可行性,测试数据和波形该MOSFET驱动电路具有电气隔离性能优良、驱动能力和抗干扰能力强等特点,目前该电路已成功应用在一台逆变器实验样机中,运行稳定.电路设计对IGBT等其他电压控制型功率开关器件的驱动也有一定的借鉴意义.

主 题 词：MOSFET 驱动电路 设计 隔离 

学科分类：08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 081102[081102] 0811[工学-水利类] 

D　O　I：10.13698/j.cnki.cn36-1037/c.2011.03.021

馆 藏 号：203186731...